此次新成果基于天合光能首創(chuàng)的210×105 mm2大面積工業(yè)級磷摻雜直拉n型硅片襯底，結(jié)合優(yōu)秀的薄膜鈍化技術(shù)、背面全鈍化異質(zhì)結(jié)技術(shù)、多頻率射頻技術(shù)對電池性能進(jìn)行了全面提升。采用組件光陷阱技術(shù)、超高密度封裝技術(shù)及超低電阻互聯(lián)技術(shù)，使組件的光學(xué)、電學(xué)性能獲得實質(zhì)性突破。

天合光能董事長兼CEO、光伏科學(xué)與技術(shù)全國重點(diǎn)實驗室主任高紀(jì)凡說，天合光能將持續(xù)加大對全鈍化概念電池和組件的研發(fā)力度，保持組件技術(shù)的持續(xù)領(lǐng)先。

這是近3個月內(nèi)繼兩度刷新n型單晶硅TOPCon電池世界紀(jì)錄和創(chuàng)造n型單晶硅HJT電池效率世界紀(jì)錄之后，天合光能在正背面接觸結(jié)構(gòu)電池組件領(lǐng)域取得的技術(shù)突破，超過了全背接觸(IBC)電池組件此前在單結(jié)晶體硅電池組件窗口效率25.4%的紀(jì)錄，標(biāo)志著天合光能在正背接觸單結(jié)晶體硅太陽電池組件的性能研究方面達(dá)到世界最高水平。